真空鍍膜儀的濺鍍一般是指磁控濺鍍，歸于高速低溫濺鍍法。該技能請求真空度在1×10-3Torr擺布，即1.3×10-3Pa的真空狀況充入慵懶氣體氬氣(Ar)，并在塑膠基材(陽極)和金屬靶材(陰極)之間加上高壓直流電，因為輝光放電發(fā)生的電子激起慵懶氣體，發(fā)生等離子體，等離子體將金屬靶材的原子轟出，堆積在塑膠基材上。

　　真空鍍膜儀濺鍍時以幾十電子伏特或更高動能的荷電粒子炮擊材料外表，使其濺射出進入氣相，可用來刻蝕和鍍膜。入射一個離子所濺射出的原子個數(shù)稱為濺射產(chǎn)額，產(chǎn)額越高濺射速度越快，以Cu,Au,Ag等高，Ti,Mo,Ta,W等低。一般在0.1-10原子/離子。離子能夠直流輝光放電發(fā)生，在10-1—10 Pa真空度，在兩極間加高壓發(fā)生放電，正離子會炮擊負電之靶材而濺射也靶材，而鍍至被鍍物上。

　　正常輝光放電的電流密度與陰極物質(zhì)與形狀、氣體品種壓力等有關。濺鍍時應盡也許保持其安穩(wěn)。任何資料皆可濺射鍍膜，即便高熔點資料也簡單濺鍍，但對非導體靶材須以射頻(RF)或脈沖(pulse)濺射;且因?qū)щ娦暂^差，濺鍍功率及速度較低。金屬濺鍍功率可達10W/cm²，非金屬小于5W/cm²。